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±50nm气浮平台诞生,晶圆切割最难的底层技术被攻克了!发布日期:2022-07-15

  目前,重复定位精度达到±50nm的超精密气浮平台研发成功了,对于半导体晶圆的制造无疑是个好消息,纳米级气浮平台在半导体制造中,应用在晶圆切割、检测、封装等工艺环节,达到了±50nm超高精的重复定位精度,是晶圆制造中难度比较高的底层技术。

  气浮平台是由空气轴承结合电控元件构成的精密位移平台,主要构成部分包括底座、导轨、气浮滑块和顶板等,是作为精密定位的部件,承载需要作精密定位的零件或工具。它采用直线电机驱动,定位平台的悬浮工作原理是在供气孔道中通入一定气压的压缩空气,气体经过节流孔在气浮滑块与导轨、底座的相对面中形成10μm左右的气膜并产生一定的悬浮力,气膜支撑气浮滑块与顶板组成的滑台作一维直线运动,当悬浮力与实验平台重量平衡时,这个运动平台处于稳定悬浮状态。

  相对于传统机械接触式滑轨,气浮导轨靠气体静压将气浮模块支撑起来,而气体与气浮模块之间的摩擦力几乎为零,可以忽略不计。另外,气浮模块和气浮导轨之间具有一定弹性,可降低对气浮导轨表面的加工精度,方便加工制造。

  重复定位精度达±50nm的气浮平台采用“济南青”石料经精密机械加工,结构精密,质地均匀坚硬,耐磨性强,形态极为稳定,强度大,硬度高,无磁性反应,无塑性变形,是理想的基准面,可以获得高而稳定的精度。

  它的的特点和背景介绍

  产品特点:

  1.非接触式气浮结构。

  2.高直线、平面度指标。

  3.精密光栅尺闭环反馈。

  4.外观结构紧凑。

  纳米级气浮平台晶圆检测系统解决方案:

  需要精密定位的工艺环节,都需要高精度的电机驱动控制和导轨。晶圆切割要在极短的曝光时间内完美定位,就需要靠精密机械运作和实时的定位校正,纳米级超精密气浮平台借由非接触式气浮导轨结构、直线电机驱动的移动方式,高平面度指标保障了理想的切割直线,同时可以实现高动态响应和快速位置整定,能达成极高速的运动和持久稳定的运作,在半导体晶圆切割等精密应用中,是理想选择。

  以上就是上海源祁精密机械有限公司小编的分享,希望对大家有所帮助。

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