当前，我国第三代半导体技术和发展研究主要的工作面临三大挑战：一是通过国际社会政治和经济生活环境的急剧变化，技术进行封锁的危险加剧。二是文化产业卡脖子的问题亟待解决。三十国际上已经进入产业化快速健康发展教育阶段，我国核心材料芯片产业化能力有待突破。

　　第三代半导体也成为宽带隙半导体，包括包括氮化镓、碳化硅等，具有突出的光电特性。第三代半导体是全球技术竞争的关键领域之一。美国、日本、欧洲等发达的国家和的确已经启动相关的计划，加强第三代半导体技术的研究和产业布局，也高度重视第三代半导体技术和产业的研发。

　　第三代半导体主要应用于发光二极管和激光显示器等光电设备、流动基站和卫星通讯等射频设备，以及新能源汽车、智能电网和高速铁路等电力电子设备。中国的“新基础设施”七大产业方向，如5G基站、新能源汽车充电桩、铁路运输等，都离不开第三代半导体。

　　第三代半导体产业链主要包括衬底、外延、设计、芯片、封装测试、应用等环节。其中，衬底、外延、芯片是投资和创新的重点，技术含量更为密集。

　　以SiC衬底为例，目前我国已有10多所大学高校、科研研究院所和几十家企业可以活跃在国内SiC单晶衬底材料领域，先后进行攻克了单晶结构尺寸、电阻率、晶型、单晶炉等一系列发展核心信息技术，4英寸导电型和半绝缘SiC衬底已大规模量产和应用，6英寸导电型衬底已大规模农业产业化。但目前在缺陷管理控制、衬底尺寸、面型社会控制能力等方面的研发和产业化经营水平，与国外市场仍有一定差距。

　　经过20多年的高速发展，我国主要的第三代半导体的研发机构具备了整个创新链的研发能力，国内主要的第三代半导体已经基本形成了整个产业链，行业规模位居世界第一。然而，高端产品，特别是电子设备之间的差距仍然很大，一些高端产品仍然是空白。

　　目前，第三代半导体材料及器件将集中于七个技术研究范畴，包括基于碳化硅的电力电子材料及器件、基于氮化镓的高效率电力电子材料及器件、宽带隙半导体射频电子材料及器件、宽带隙半导体光电子材料及器件、宽带隙半导体深紫外光电子材料及器件、第三代半导体新功能材料及器件、宽带隙半导体衬底材料及配套材料。

　　““十五”期间，我国第三代半导体发展的总体目标是从实现可用性到解决可用性和瓶颈，提高第三代半导体产业链的能力和水平。

　　以上是上海源祁精密机械有限公司对第三代半导体产业面临挑战的见解，希望对您有所帮助。